1. versuswizard
  2. Comparison Electronic Devices
  3. Comparison Phone & Tablet Stand/ Mount
  4. Comparison Computer Keyboards
  5. Comparison Data Storage and Drives

Comparison Data Storage and Drives

12 comparisons are ready for you on this page

VS
Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb
VS
Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tbvs Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

Mg VS Samsung
Feature

Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb

Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 450,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Phison E12 Samsung Phoenix
View Comparison Details
VS
Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gb
VS
Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gb

Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tbvs Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gb

Mg VS Samsung
Feature

Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb

Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - 5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 600,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Phison E12 Samsung Elpis
View Comparison Details
VS
Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Pro M2 1Tb
VS
Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Pro M2 1Tb

Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tbvs Samsung 970 Pro M2 1Tb

Mg VS Samsung
Feature

Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb

Samsung 970 Pro M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی - مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 500,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Phison E12 Samsung Phoenix Controller
View Comparison Details
VS
Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Pro Nvme M2 1Tb
VS
Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Pro Nvme M2 1Tb

Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tbvs Samsung 980 Pro Nvme M2 1Tb

Mg VS Samsung
Feature

Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb

Samsung 980 Pro Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Phison E12 Samsung Elpis
View Comparison Details
VS
Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
VS
Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tbvs Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

Mg VS Samsung
Feature

Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Phison E12 Samsung Phoenix
View Comparison Details
VS
Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb
VS
Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb

Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tbvs Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb

Mg VS Adata
Feature

Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb

Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 290,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 NANYA DDR3
کنترلر (Controller) Phison E12 SMI SM2262EN
View Comparison Details
VS
Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
VS
Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tbvs Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

Mg VS Samsung
Feature

Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Phison E12 Samsung Phoenix
View Comparison Details
VS
Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb
VS
Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tbvs Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

Mg VS Samsung
Feature

Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb

Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Phison E12 Samsung Phoenix
View Comparison Details
VS
Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 500Gb
VS
Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 500Gb

Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tbvs Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 500Gb

Mg VS Samsung
Feature

Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb

Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 500Gb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - 2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) Phison E12 Samsung MKX
View Comparison Details
VS
Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb
VS
Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb

Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tbvs Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb

Mg VS Adata
Feature

Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb

Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی - مناسب گیمینگ ** قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر 8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 13.4 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS 210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 230,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 -
کنترلر (Controller) Phison E12 -
View Comparison Details
VS
Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb
VS
Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb

Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tbvs Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb

Mg VS Xpg
Feature

Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb

Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر 6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 11 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 290,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 DDR3L
کنترلر (Controller) Phison E12 SMI SM2262EN
View Comparison Details
VS
Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb
VS
Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Comparison Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tbvs Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Mg VS Samsung
Feature

Teamgroup T Force Cardea Ii Nvme M2 1Tb

Samsung 980 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Phison E12 Samsung In-House Controller
View Comparison Details