Comparison Data Storage and Drives

12 comparisons are ready for you on this page

Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gbvs Adata Elite Se880 Usb 32 Gen 2X2 500Gb

Feature

Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb

Adata Elite Se880 Usb 32 Gen 2X2 500Gb

محتویات جعبه - کابل USB-C به USB-C ** کابل USB-C به USB-A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا ویندوز 8 به بالا ** مک OS X 10.6 به بالا ** لینوکس 2.6 به بالا ** ان*وید 5 به بالا
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 4.0 x4 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 3.7 * 22 * 80 میلی‌متر 12.25 * 35 * 64.8 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 31 گرم
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 590,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 610,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7300 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت

Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gbvs Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

Feature

Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb

Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 4.0 x4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.7 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 590,000IOPS 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 610,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7300 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gbvs Adata Xpg Gammix S70 Blade Nvme M2 512Gb

Feature

Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb

Adata Xpg Gammix S70 Blade Nvme M2 512Gb

نشانگر وضعیت LED false -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 4.0 x4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.7 * 22 * 80 میلی‌متر 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول 7 گرم 7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 590,000IOPS 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 610,000IOPS 750,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7300 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -

Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gbvs Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb

Feature

Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb

Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 4.0 x4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.7 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 590,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 610,000IOPS 290,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7300 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) - SMI SM2262EN

Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gbvs Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb

Feature

Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb

Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 4.0 x4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.7 * 22 * 80 میلی‌متر 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول 7 گرم 10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 590,000IOPS 191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 610,000IOPS 510,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7300 مگابایت بر ثانیه 3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه 2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2267EN

Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gbvs Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

Feature

Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 4.0 x4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.7 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 590,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 610,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7300 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gbvs Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

Feature

Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb

Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 4.0 x4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.7 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 590,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 610,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7300 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gbvs Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb

Feature

Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb

Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه مناسب گیمینگ ** قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 4.0 x4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.7 * 22 * 80 میلی‌متر 8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 13.4 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 590,000IOPS 210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 610,000IOPS 230,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7300 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -

Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gbvs Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb

Feature

Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb

Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 4.0 x4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.7 * 22 * 80 میلی‌متر 6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 11 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 590,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 610,000IOPS 290,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7300 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) - SMI SM2262EN

Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gbvs Samsung 980 Pro Nvme M2 1Tb

Feature

Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb

Samsung 980 Pro Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 4.0 x4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.7 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 590,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 610,000IOPS 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7300 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis

Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gbvs Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gb

Feature

Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb

Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 4.0 x4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.7 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - 5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 590,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 610,000IOPS 600,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7300 مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis

Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gbvs Samsung 970 Pro M2 1Tb

Feature

Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb

Samsung 970 Pro M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 4.0 x4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.7 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 590,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 610,000IOPS 500,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7300 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix Controller