Comparison Data Storage and Drives

12 comparisons are ready for you on this page

$Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Elite Se880 Usb 32 Gen 2X2 500Gb$

Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gbvs Adata Elite Se880 Usb 32 Gen 2X2 500Gb

Mg VS Adata

Feature	Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb	Adata Elite Se880 Usb 32 Gen 2X2 500Gb
محتویات جعبه	-	کابل USB-C به USB-C کابل USB-C به USB-A دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا	ویندوز 8 به بالا مک OS X 10.6 به بالا لینوکس 2.6 به بالا ** ان*وید 5 به بالا
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4.0 x4	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر	12.25 * 35 * 64.8 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	31 گرم
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	590,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	610,000IOPS	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	7300 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت

View Comparison Details

$Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb$

Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gbvs Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

Mg VS Samsung

Feature	Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb	Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4.0 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.5 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	590,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	610,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	7300 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

View Comparison Details

$Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Xpg Gammix S70 Blade Nvme M2 512Gb$

Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gbvs Adata Xpg Gammix S70 Blade Nvme M2 512Gb

Mg VS Adata

Feature	Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb	Adata Xpg Gammix S70 Blade Nvme M2 512Gb
نشانگر وضعیت LED	false	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4.0 x4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر	3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول	7 گرم	7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	590,000IOPS	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	610,000IOPS	750,000IOPS
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	7300 مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-

View Comparison Details

$Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb$

Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gbvs Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb

Mg VS Adata

Feature	Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb	Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4.0 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	590,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	610,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	7300 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN

View Comparison Details

$Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb$

Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gbvs Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb

Mg VS Adata

Feature	Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb	Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4.0 x4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر	4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول	7 گرم	10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی	-	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	590,000IOPS	191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	610,000IOPS	510,000IOPS
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	7300 مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2267EN

View Comparison Details

$Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb$

Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gbvs Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

Mg VS Samsung

Feature	Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4.0 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	590,000IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	610,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7300 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

View Comparison Details

$Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb$

Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gbvs Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

Mg VS Samsung

Feature	Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4.0 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	590,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	610,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	7300 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

View Comparison Details

$Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb$

Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gbvs Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb

Mg VS Adata

Feature	Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb	Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	مناسب گیمینگ قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4.0 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر	8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	13.4 گرم
میزان توان مصرفی	-	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	590,000IOPS	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	610,000IOPS	230,000IOPS
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	7300 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-

View Comparison Details

$Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb$

Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gbvs Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb

Mg VS Xpg

Feature	Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb	Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4.0 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر	6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	11 گرم
میزان توان مصرفی	-	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	590,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	610,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	7300 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN

View Comparison Details

$Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Pro Nvme M2 1Tb$

Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gbvs Samsung 980 Pro Nvme M2 1Tb

Mg VS Samsung

Feature	Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb	Samsung 980 Pro Nvme M2 1Tb
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4.0 x4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	-	6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	590,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	610,000IOPS	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7300 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis

View Comparison Details

$Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gb$

Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gbvs Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gb

Mg VS Samsung

Feature	Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb	Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gb
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4.0 x4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	-	5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	590,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	610,000IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	7300 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis

View Comparison Details

$Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Pro M2 1Tb$

Comparison Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gbvs Samsung 970 Pro M2 1Tb

Mg VS Samsung

Feature	Teamgroup Mp44 Nvme M2 512Gb	Samsung 970 Pro M2 1Tb
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4.0 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	590,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	610,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7300 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix Controller

View Comparison Details