1. versuswizard
  2. Comparison Electronic Devices
  3. Comparison Phone & Tablet Stand/ Mount
  4. Comparison Computer Keyboards
  5. Comparison Data Storage and Drives

Comparison Data Storage and Drives

12 comparisons are ready for you on this page

VS
Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Sd600Q 960Gb
VS
Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Sd600Q 960Gb

Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbvs Adata Sd600Q 960Gb

Intel VS Adata
Feature

Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

Adata Sd600Q 960Gb

نشانگر وضعیت LED false true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه XP و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه پشتیبانی از SLC Cache هوشمند ** مقاوم * برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها - استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 ** FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 15.2 * 80 * 80 میلی‌متر
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 10 گرم 60 گرم
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 200ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 960 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) SMI 2263 Maxio Technology MAS0902A
View Comparison Details
VS
Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb
VS
Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbvs Samsung 980 Nvme M2 1Tb

Intel VS Samsung
Feature

Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

Samsung 980 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 200ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) SMI 2263 Samsung In-House Controller
View Comparison Details
VS
Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Lexar Nm620 Nvme M2 1Tb
VS
Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Lexar Nm620 Nvme M2 1Tb

Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbvs Lexar Nm620 Nvme M2 1Tb

Intel VS Lexar
Feature

Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

Lexar Nm620 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 9 گرم
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 256,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 200ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) SMI 2263 DM620
View Comparison Details
VS
Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 500Gb
VS
Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 500Gb

Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbvs Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 500Gb

Intel VS Samsung
Feature

Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 500Gb

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - 2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 200ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) SMI 2263 Samsung MKX
View Comparison Details
VS
Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb
VS
Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbvs Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

Intel VS Samsung
Feature

Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 200ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) SMI 2263 Samsung Phoenix
View Comparison Details
VS
Comparison Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb
VS
Comparison Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

Comparison Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gbvs Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

Samsung VS Intel
Feature

Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 10 گرم
میزان توان مصرفی 5.5 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 200ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC IMFT 64L 3D QLC
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix SMI 2263
View Comparison Details
VS
Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb
VS
Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb

Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbvs Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb

Intel VS Adata
Feature

Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه مناسب گیمینگ ** قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 13.4 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 230,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 200ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) SMI 2263 -
View Comparison Details
VS
Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb
VS
Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb

Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbvs Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb

Intel VS Adata
Feature

Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول 10 گرم 10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 510,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 200ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - DDR4
کنترلر (Controller) SMI 2263 Silicon Motion SM2267EN
View Comparison Details
VS
Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Sandisk Extreme Sdssde61 Usb 32 Gen 2 1Tb
VS
Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Sandisk Extreme Sdssde61 Usb 32 Gen 2 1Tb

Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbvs Sandisk Extreme Sdssde61 Usb 32 Gen 2 1Tb

Intel VS Ds
Feature

Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

Sandisk Extreme Sdssde61 Usb 32 Gen 2 1Tb

محتویات جعبه - کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED false true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 9.6 * 52.5 * 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 10 گرم 52 گرم
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 200ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) SMI 2263 -
View Comparison Details
VS
Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gb
VS
Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gb

Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbvs Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gb

Intel VS Samsung
Feature

Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gb

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - 5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 200ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) SMI 2263 Samsung Elpis
View Comparison Details
VS
Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb
VS
Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb

Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbvs Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb

Intel VS Adata
Feature

Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 290,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 200ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3
کنترلر (Controller) SMI 2263 SMI SM2262EN
View Comparison Details
VS
Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Elite Se880 Usb 32 Gen 2X2 500Gb
VS
Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Elite Se880 Usb 32 Gen 2X2 500Gb

Comparison Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbvs Adata Elite Se880 Usb 32 Gen 2X2 500Gb

Intel VS Adata
Feature

Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

Adata Elite Se880 Usb 32 Gen 2X2 500Gb

محتویات جعبه - کابل USB-C به USB-C ** کابل USB-C به USB-A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED false true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8 به بالا ** مک OS X 10.6 به بالا ** لینوکس 2.6 به بالا ** ان*وید 5 به بالا
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 12.25 * 35 * 64.8 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 31 گرم
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 200ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) SMI 2263 -
View Comparison Details