Technical features
Memory Capacity	500 گیگابایت	480 گیگابایت
Flash Memory Specifications	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D TLC NAND
Controller	Samsung Phoenix	-
Sequential Read Speed	3500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
Sequential Write Speed	3200 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
Random Read Speed	480,000IOPS	-
Random Write Speed	550,000IOPS	80,000IOPS
DRAM Memory	دارد	ندارد
DRAM Memory Type	512 مگابایت LPDDR4	-
Operating Temperature Range	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
Operating Voltage	3.3 ولت	-
Average Lifespan	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF)

General features
Power Consumption	- 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش	- 1.71 وات در حالت فعال - 0.315 وات در حالت آماده باش

Capabilities
NCQ Support	ندارد	دارد
TRIM Support	دارد	دارد
RAID Support	ندارد	دارد
S.M.A.R.T Support	دارد	ندارد
Encryption Technology	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
Additional Features	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD	- الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - قابل استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه